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Atmel面向便携设备发布0.35微米高压CMOS技术

Atmel Corporation日前宣布面向集成电路代工客户推出具有双层多晶硅高密度EEPROM的AT35700高压处理技术。该0.35微米技术拥有能在17伏和40伏时运行的LDMOS晶体管，并具有一个5伏低泄漏CMOS磁心。该低泄漏CMOS是为实现亚阈值漏电最小化而设计的，使其成为便携式电子设备的技术选择之一。

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